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芯基建:半导体仿真技术在第三代半导体器件研究中的应

发布日期:2020-07-25 07:23   来源:未知   阅读:

第三代半导体材料由于具备禁带宽度大、临界电场高、电子饱和速率高等优势,被广泛应用到功率半导体器件、日盲紫外探测器、深紫外发光等电子器件和光电器件领域;而上述半导体器件架构的优化和各项性能指标的提升需以理解器件内部机理为依托和指导;而半导体器件仿真技术能有效突破器件实验表象,可视化器件内部最根本的物理机制,加深对半导体器件物理的理解,助力于半导体器件架构的优化和制备,因此半导体器件仿真技术是现代先进半导体器件研发和制备的必备手段。

依托Crosslight的软件仿真设计平台,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队、河北工业大学第三代半导体器件研究组在深紫外发光二极管、Micro-LED、日盲探测器、肖特基功率二极管及垂直腔面发射激光器等半导体器件领域取得了一系列的研究成果。这些研究成果充分证实了半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用,并表明半导体仿真技术对深入分析影响半导体器件关键特性指标的物理原因的不可替代性。主要的研究进展如下:

2. 利用半导体器件数值分析手段,课题组成功解释了p-EBL中AlN插入层在改善空穴注入效率方面的机理,并指出AlN插入层的工作原理和优化方向研究发现AlN插入层可以使AlN与p-EBL界面产生极化负电荷,从而在界面处形成空穴积累,克服了传统结构中最后一个量子垒与p-EBL形成空穴耗尽,影响空穴注入的问题;另外,AlN插入层可引起能带的二次分布,从而提高空穴能力,增加其漂移速度,进而提高空穴注入效率[Opt. Express, 27 (12), A620 (2019)]。

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